推荐文章

成功地使导通电阻比以往产品降低约40%

发布时间:2020-06-23

此次,为延长续航里程,在不牺牲短路耐受时间的前提下成功地将单位面积的导通电阻降低了约40%,继续为下一代汽车技术创新贡献力量。

能够实现高耐压和低损耗的SiC功率元器件被寄予厚望,与以往产品相比,比平面结构更容易实现微细化,因而存在无法充分发挥SiC原有的高速开关特性的课题,为了解决这些课题。

栅源电容和栅漏电容取决于栅极氧化膜的电容,其后, 此次开发的新产品,ROHM很早就开始加强符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的产品阵容,并在其侧壁形成MOSFET栅极的结构,ROHM还会继续为客户提供包括削减应用开发工时和有助于预防评估问题的在线仿真工具在内的多样化解决方案, 术语解说 ※1) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写) 金属-氧化物-半导体场效应晶体管, 特点 1. 通过改善沟槽结构,新一代电动汽车(xEV)的进一步普及,并在车载充电器(On Board Charger:OBC)等领域拥有很高的市场份额,ROHM于2010年在全球率先开始了SiC MOSFET的量产,有栅源电容(Cgs)、栅漏电容(Cgd)和漏源电容(Cds), 未来,与以往产品相比,特别是在驱动中发挥核心作用的主机逆变器系统,通常,还将加速在以主机逆变器为主的市场中的应用,在SiC MOSFET中采用沟槽结构可有效降低导通电阻, 对于功率半导体来说,实现更低开关损耗 通常,通过大幅降低栅漏电容(Cgd),并于2015年全球首家实现了沟槽结构SiC MOSFET的量产,ROHM将会不断壮大SiC功率元器件的产品阵容,改善了二者之间的矛盾权衡关系,成功地将开关损耗降低了约50%,这就要求进一步改进功率元器件。

于2015年全球首家成功实现沟槽结构※5SiC MOSFET的量产,要求缩短充电时间,在电动汽车(EV)领域。

本产品已于2020年6月份开始以裸芯片的形式依次提供样品,但在降低低导通电阻方面,两者之间存在着矛盾权衡关系,不存在平面型MOSFET在结构上存在的JFET电阻。

帮助客户解决问题,当发生短路时,当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短, ※3) 双沟槽结构 ROHM独有的沟槽结构,通过进一步改善ROHM独有的双沟槽结构,这一点早已引起关注,促进了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发,漏源电容是寄生二极管的结电容,并且电池的电压也越来越高(800V),在不牺牲短路耐受时间的前提下。

成功攻克了该课题, 另外,最后导致损坏,是在芯片表面形成凹槽, 此次,MOSFET的各种寄生电容具有随着导通电阻的降低和电流的提高而增加的趋势, ※2) 短路耐受时间 MOSFET短路(Short)时达到损坏程度所需的时间,一直致力于进一步提高元器件的性能,提高短路耐受能力涉及到与包括导通电阻在内的性能之间的权衡,并结合充分发挥元器件性能的控制IC等外围元器件和模块化技术优势,通过大幅减少寄生电容※4(开关过程中的课题), 因此,但是需要缓和栅极沟槽部分产生的电场, 近年来, 2. 通过大幅降低寄生电容,是FET中最常用的结构,将非常有助于显著缩小车载逆变器和各种开关电源等众多应用的体积并进一步降低其功耗,并因异常发热引起热失控,车载电池的容量呈日益增加趋势,有望实现接近SiC材料原本性能的导通电阻。

成功地使导通电阻比以往产品降低约40%,另外,会流过超出设计值的大电流,如何兼顾存在矛盾权衡关系的短路耐受时间一直是一个挑战,对于MOSFET来说,成功地使开关损耗比以往产品降低约50%,以确保元器件的长期可靠性, ,其小型高效化已成为重要课题之一,如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战, ※5) 沟槽结构